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Si4410DY
0.20
0.03
0.16
0.02
0.12
I D = 10A
0.08
0.04
V G S = 10V
V G S = 4.5V
0.01
0.00
0
10
20
30
40
50
A
0.00
3
4
5
6
7
8
9
10
A
I D , D rain C urren t (A )
Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
V G S , G ate-to- Sou rc e V oltage (V )
Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
3.0
1000
TOP
I D
4.5A
8.0A
2.5
2.0
I D =2 50μA
800
600
400
200
BOTTOM
10A
Starting T J , Junction Temperature ( C)
1.5
-60
-40
-20 0 20 40 60 80 100 120
T J , Jun ction T em peratu re (°C )
A
140 160
0
25
50       75      100      125
°
150
Fig 14. Typical Threshold Voltage Vs.Temperature
6
Fig 15. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
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